G7K2N20HE

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 1935 шт
Количество Цена
1 135 ₽
100 54 ₽
1000 37 ₽
5000 29.6 ₽
12500 26.6 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+3 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    G7K2N20HE-GFS
  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
G7K2N20HE от 26.6 рублей в наличии 1935 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

G7K2N20HE-GFS описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 200V; 2A; 1.8W; SOT223; ESD

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT223
  • Версия
    ESD
  • Рассеиваемая мощность
    1,8Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    Trench
  • Заряд затвора
    10,8нC
  • Ток стока
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    200В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация