G2R1000MT17J

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 9 шт
Количество Цена
1 1 278 ₽
3 1 136 ₽
10 1 059 ₽
50 984 ₽
100 976 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+146 баллов
G2R1000MT17J от 976 рублей в наличии 9 шт производства GeneSiC SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

G2R1000MT17J описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7

  • Производитель
    GeneSiC Semiconductor Inc.
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TO263-7
  • Рассеиваемая мощность
    54Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    туба
  • Технология
    SiC
  • Технология
    G2R™
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    вывод Кельвина
  • Ток стока
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    1,7кВ
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1Ом
  • Напряжение затвор-исток
    -5...20В
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Gate-source voltage
    -5...20V
  • Вес
    1.453g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация