G2K3N10L6

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 3000 шт
Количество Цена
3000 13 ₽
15000 12 ₽
30000 10.7 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1 балл
  • Условия
    Минимально 3000 и кратно 3000
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    G2K3N10L6-GFS
  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
G2K3N10L6 от 10.7 рублей в наличии 3000 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 3000 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

G2K3N10L6-GFS описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 100V; 3A; 1.67W; SOT23-6

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23-6
  • Рассеиваемая мощность
    1,67Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    Trench
  • Заряд затвора
    22нC
  • Ток стока
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация