G2K3N10H

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 10000 шт
Количество Цена
2500 12.8 ₽
15000 11.7 ₽
30000 10.5 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1 балл
  • Условия
    Минимально 2500 и кратно 2500
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    G2K3N10H-GFS
  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
G2K3N10H от 10.5 рублей в наличии 10000 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 2500 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

G2K3N10H-GFS описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 2A; 2.4W; SOT223

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Технология
    Trench
  • Полярность
    полевой
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Ток стока
  • Рассеиваемая мощность
    2,4Вт
  • Корпус
    SOT223
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    13нC
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация