G2K2P10D3E

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2287 шт
Количество Цена
1 1 593 ₽
10 257 ₽
100 90 ₽
1000 59 ₽
2500 46 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+6 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    G2K2P10D3E-GFS
  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
G2K2P10D3E от 46 рублей в наличии 2287 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

G2K2P10D3E-GFS описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -10A; 31W; DFN3x3-8

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Технология
    Trench
  • Полярность
    полевой
  • Напряжение сток-исток
    -100В
  • Ток стока
    -10А
  • Рассеиваемая мощность
    31Вт
  • Корпус
    DFN3x3-8
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    33нC
  • Вид канала
    обогащенный
  • Версия
    ESD
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация