G1K3N10G

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 5000 шт
Количество Цена
1000 21.6 ₽
8000 20 ₽
16000 18 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+2 балла
G1K3N10G от 18 рублей в наличии 5000 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 1000 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

G1K3N10G-GFS описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 5A; 1.6W; SOT89

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT89
  • Рассеиваемая мощность
    1,6Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    Trench
  • Заряд затвора
    19нC
  • Ток стока
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация