G12P10TE

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 41 шт
Количество Цена
1 252 ₽
50 118 ₽
500 82 ₽
2000 68 ₽
10000 57 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+8 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    G12P10TE-GFS
  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
G12P10TE от 57 рублей в наличии 41 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

G12P10TE-GFS описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -12A; 44.6W; TO220

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO220
  • Версия
    ESD
  • Рассеиваемая мощность
    44,6Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    Trench
  • Заряд затвора
    33нC
  • Ток стока
    -12А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -100В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне
Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация