G12P10TE

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество G12P10TE, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

G12P10TE-GFS описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -12A; 44.6W; TO220

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO220
  • Версия
    ESD
  • Рассеиваемая мощность
    44,6Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    Trench
  • Заряд затвора
    33нC
  • Ток стока
    -12А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -100В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация