G09N06S2

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество G09N06S2, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

G09N06S2-GFS описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 9A; 2.6W; SOP8

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Технология
    Trench
  • Полярность
    полевой
  • Напряжение сток-исток
    60В
  • Ток стока
  • Рассеиваемая мощность
    2,6Вт
  • Корпус
    SOP8
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    47нC
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация