G080P06T

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество G080P06T, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

G080P06T-GFS описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -195A; 294W; TO220

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Технология
    Trench
  • Полярность
    полевой
  • Напряжение сток-исток
    -60В
  • Ток стока
    -195А
  • Рассеиваемая мощность
    294Вт
  • Корпус
    TO220
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Монтаж
    THT
  • Заряд затвора
    186нC
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация