G080P06M

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2400 шт
Количество Цена
1600 140 ₽
16000 130 ₽
32000 117 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+17 баллов
  • Условия
    Минимально 1600 и кратно 1600
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    G080P06M-GFS
  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
G080P06M от 117 рублей в наличии 2400 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 1600 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

G080P06M-GFS описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -195A; 294W; TO263

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TO263
  • Рассеиваемая мощность
    294Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    Trench
  • Заряд затвора
    186нC
  • Ток стока
    -195А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -60В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация