G06P01E

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество G06P01E, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

G06P01E-GFS описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -4A; 1.8W; SOT23; ESD

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23
  • Версия
    ESD
  • Рассеиваемая мощность
    1,8Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    Trench
  • Заряд затвора
    14нC
  • Ток стока
    -4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -12В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Gate-source voltage
    ±10В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация