FQD2N100TM

FQD2N100TM
FQD2N100TM
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+109 баллов
  • Условия
    Минимально 2 и кратно 2
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    FQD2N100TM
  • Производитель
    ONSEMI
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 1.08 MB
Вы можете запросить у нас любое количество FQD2N100TM, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

FQD2N100TM описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 1А; 50Вт; DPAK

  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    DPAK
  • Рассеиваемая мощность
    50Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    QFET®
  • Заряд затвора
    15,5нC
  • Ток стока
    1А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    1000В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    9Ом
  • Напряжение затвор-исток
    ±30В
  • Вес
    0.4g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Смежные товары

Вы смотрели:
TSB711ILT
TSB711ILT
Подробнее
DMTH10H025LK3-13
DMTH10H025LK3-13
Подробнее
CSN13FTWQR107
CSN13FTWQR107
Подробнее
INA213AIRSWR
INA213AIRSWR
Подробнее

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text