FDG312P

FDG312P
FDG312P
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+8 баллов
  • Условия
    Минимально 72 и кратно 72
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    FDG312P
  • Производитель
    ONSEMI
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 176.54 KB
Вы можете запросить у нас любое количество FDG312P, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

FDG312P описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,2А; 0,75Вт; SC70-6

  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SC70-6
  • Рассеиваемая мощность
    0,75Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    PowerTrench®
  • Заряд затвора
    5нC
  • Ток стока
    -1,2А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    290мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Вес
    0.019g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Смежные товары

Вы смотрели:
2-1625890-1
2-1625890-1
Подробнее
D15FY4R5SY-5063R
D15FY4R5SY-5063R
Подробнее
TWJ-2619.12-C
TWJ-2619.12-C
Подробнее
ECA2EHG2R2
ECA2EHG2R2
Подробнее
AMEM5-24S277HAVZ
AMEM5-24S277HAVZ
Подробнее

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text