FDD3510H

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+16 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    FDD3510H
  • Производитель
    ONSEMI
Вы можете запросить у нас любое количество FDD3510H, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

FDD3510H описание и характеристики

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; -80/80В; -9,4/13,9А; Idm: -10÷20А

  • Производитель
    ONSEMI
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    DPAK4
  • Рассеиваемая мощность
    32/35Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Технология
    PowerTrench®
  • Заряд затвора
    18/20нC
  • Ток стока
    -9,4/13,9А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -80/80В
  • Тип транзистора
    N/P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    322/152мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    -10...20А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация