CSD19536KTTT

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 57 шт
Количество Цена
1 1 399 ₽
3 1 260 ₽
10 1 018 ₽
25 854 ₽
50 823 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+123 балла
CSD19536KTTT от 823 рублей в наличии 57 шт производства TEXAS INSTRUMENTS, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

CSD19536KTTT описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK

  • Производитель
    TEXAS INSTRUMENTS
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK
  • Рассеиваемая мощность
    375Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    NexFET™
  • Заряд затвора
    118нC
  • Ток стока
    200А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    2,8мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    400А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    1.964g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация