BR25G640FJ-3GE2

BR25G640FJ-3GE2

нет в наличии

Количество	Цена
1	105 ₽
25	96 ₽
100	92 ₽
500	87 ₽
2500	85 ₽

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 и кратно 1

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
BR25G640FJ-3GE2
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR

Вы можете запросить у нас любое количество BR25G640FJ-3GE2, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

BR25G640FJ-3GE2 описание и характеристики

IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; SPI; 8kx8bit; 20MHz; SOP-J8; serial

Похожие товары

IC: память EEPROM; UNI/O; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; DIP8

+1152 балла

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SO8

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SO8

+5 баллов

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SO8

+1290 баллов

Подробнее

11AA02E48T-I/TT

11AA02E48T-I/TT

IC: память EEPROM; UNI/O; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SOT23-3

+1350 баллов

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SO8

+1290 баллов

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; DIP8

+263 балла

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SO8

+825 баллов

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 1024x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; DIP8

+1404 балла

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 2048x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; DIP8

+1530 баллов

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 2048x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SO8

+1020 баллов

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 128x8бит; 2,5÷5,5В; 100кГц; MSOP8

+855 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text