BQ32000DR

BQ32000DR

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.

нет в наличии

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 и кратно 2500

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
BQ32000DR
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS

Вы можете запросить у нас любое количество BQ32000DR, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

BQ32000DR описание и характеристики

IC: микросхема RTC; 2-wire,I2C,serial; SOIC8; 3÷3,6В

Похожие товары

Микросхема RTC; SPI; DIP16; 3÷6В

+183150 баллов

Подробнее

IC: микросхема RTC; Multiplexed; NV SRAM; PLCC28; 4,5÷5,5В; 114Б

+10319 баллов

Подробнее

IC: микросхема RTC; Multiplexed; NV SRAM; PLCC28; 4,5÷5,5В; 114Б

+403 балла

Подробнее

IC: микросхема RTC; Multiplexed; NV SRAM; DIP24; 4,5÷5,5В; 114Б

+104441 балл

Подробнее

IC: микросхема RTC; Multiplexed; NV SRAM; DIP24; 4,5÷5,5В; 114Б

+96768 баллов

Подробнее

IC: микросхема RTC; Multiplexed; NV SRAM; 113Б; DIP24; 4,5÷5,5В

+97448 баллов

Подробнее

IC: микросхема RTC; Multiplexed; NV SRAM; DIP24; 4,5÷5,5В; 113Б

+95294 балла

Подробнее

IC: микросхема RTC; SRAM; EDIP24; 2÷5,5В; 114Б

+112984 балла

Подробнее

IC: микросхема RTC; 3-проводный; NV SRAM; DIP8; 2÷5,5В; 31Б

+3105 баллов

Подробнее

IC: микросхема RTC; 3-проводный; NV SRAM; 31Б; SO8; 2÷5,5В

+8580 баллов

Подробнее

IC: микросхема RTC; 3-проводный; NV SRAM; SO8; 2÷5,5В; 31Б

+15930 баллов

Подробнее

IC: микросхема RTC; 3-проводный,SPI; NV SRAM; 96Б; DIP16; 2÷5,5В

+58200 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог