18N10

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество 18N10, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

18N10-GFS описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 35A; 80W; TO252

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TO252
  • Рассеиваемая мощность
    80Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    Trench
  • Заряд затвора
    26нC
  • Ток стока
    35А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация