18 декабря 2025 года стало известно о важной технологической разработке в сфере оперативной памяти: компания Samsung Electronics представила новую технологию для DRAM с узлами меньше 10 нм, что может стать значительным шагом в развитии полупроводниковой отрасли и расширении возможностей памяти для будущих устройств и дата-центров.
Что именно анонсировано
В ходе IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Samsung и ее исследовательское подразделение Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) продемонстрировали прототипный транзистор для DRAM узлов ниже 10 нм, который может стать основой следующих поколений памяти, включая технологические уровни 0a и 0b. Такая миниатюризация — важный шаг после нынешних 10-нм-классовых решений и означает, что память может стать более плотной, энергоэффективной и производительной при сохранении стабильности работы.
Новое устройство представляет собой вертикальный канал DRAM с использованием аморфного оксидного полупроводника, устойчивого к высоким температурам. Это решение помогает преодолеть физические ограничения, возникающие при масштабировании традиционных DRAM-транзисторов на уровне ниже 10 нм, где классические структуры начинают терять эффективность.
Почему это важно
Современные DRAM-чипы уже используют техпроцессы примерно около 10 нм, но дальнейшее уменьшение размеров сталкивается с серьезными техническими барьерами: ухудшение электрических свойств, сложности в производстве на массовом уровне и рост дефектов. Новая технология Samsung позволяет по-новому взглянуть на архитектуру транзисторов, что потенциально открывает путь к следующему этапу развития динамической памяти.
Миниатюризация DRAM чипов — не только способ увеличить объем памяти на той же площади кристалла, но и возможность снизить энергопотребление, что крайне важно для серверов, мобильных устройств и систем искусственного интеллекта, где потребности в памяти постоянно растут.
Текущий контекст рынка памяти
Рынок памяти уже переживает структурные изменения и рост цен из-за высокого спроса на DRAM и другие типы памяти, особенно для серверов и дата-центров с ИИ-нагрузками. Samsung возвращается на лидирующие позиции в сегменте DRAM в четвертом квартале 2025 года и укрепляет свое присутствие на рынке после периода конкуренции с SK Hynix и другими игроками.
Помимо этого, компания также перераспределяет производственные мощности в сторону прибыльных DRAM-линий, включая DDR5 и RDIMM-модули, что помогает ей улучшать маржинальность и адаптироваться к текущим рыночным условиям.
Перспективы внедрения и сроки
Новая технология суб-10 нм DRAM пока находится на исследовательской стадии, и до коммерческого производства еще достаточно времени. Эксперты отрасли отмечают, что даже технологические решения следующего поколения требуют нескольких лет развития до выхода в массовое производство, особенно в сегменте памяти, где стабильность и надежность являются критическими параметрами.
Тем не менее это достижение отражает общий тренд развития полупроводников: по мере того как узлы логики в микропроцессорах уже перешли к 2 нм и ниже, память также нуждается в инновациях, чтобы соответствовать требованиям по плотности, скорости и энергоэффективности.
Что это означает для индустрии
- Для серверов и ЦОД: более плотная, энергоэффективная DRAM поможет справляться с растущими объемами данных и вычислительными нагрузками ИИ.
- Для мобильных устройств: потенциал увеличения объема встроенной памяти без роста энергопотребления.
- Для экономики полупроводников: укрепление позиции Samsung как технологического лидера и усиление конкуренции с другими крупными игроками.
Вывод: 18 декабря 2025 года анонс Samsung стал заметным сигналом о будущих изменениях в индустрии памяти — шаг к новым поколениям DRAM, которые могут изменить баланс сил на рынке чипов и задать направление развития оперативной памяти в ближайшие годы.
