О компании и участии
Altum RF (Эйндховен, Нидерланды) представила свои разработки на IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS 2026) в Boston (9-11 июня) на стенде №22020. Компания, опираясь на десятилетия опыта в проектировании RF, микроволновых и миллиметровых полупроводников, показала широкую линейку MMIC на GaAs и GaN — от X-диапазона до частот выше 100 ГГц — и ответила на вопросы посетителей о применениях, дорожной карте и производственных возможностях.
Что было показано
Altum RF привлекла внимание прежде всего продуктами для SATCOM, телекоммуникаций (включая E-band), радаров и тест-и-измерений. В центре экспозиции — семейство усилителей мощности и малошумящих усилителей для E-band, поддерживающее требования mmWave-телекомов с высокой выходной мощностью и усилением для увеличения дальности связи. Отдельно отмечено наличие на кристалле интегрированного детектора мощности в E-band PA — полезная опция для мониторинга и калибровки систем.
Ключевые продукты (основные характеристики)
- ARF1221Q2: LNA 6-18 ГГц, NF 1 dB, упаковка QFN.
- ARF1224Q2: LNA DC-18 ГГц, NF 1.6 dB при 10 ГГц, упаковка QFN.
- ARF1219Q2: LNA 17.7-21.2 ГГц, NF 1.4 dB, упаковка QFN.
- ARF1120Q3: драйвер-усилитель 15-24 ГГц, P1dB 22 dBm, упаковка QFN.
- ARF1121Q3: драйвер-усилитель 27-31 ГГц, P1dB 22 dBm, упаковка QFN.
- ARF1018: E-band PA 71-79 ГГц, Psat 1.8 W, поставляется в виде bare die.
- ARF1019: E-band PA 81-86 ГГц, Psat 1.6 W, bare die.
- ARF1206: LNA 71-86 ГГц, NF 2.5-3.5 dB, bare die.
Технические преимущества
Altum RF сочетает GaAs и GaN технологии в единой продуктовой матрице, что позволяет оптимизировать решения под требования по мощности, шуму и плотности интеграции. Ключевые преимущества отмечаемых изделий:
- Низкие показатели шумовой температуры в LNA (до 1 dB NF) критично для приёмных путей спутниковых и телеком-систем;
- Высокая выходная мощность у PA в E-band (сотни милливатт—ваттный уровень Psat) необходима для дальних линков и компенсации потерь в линзовых/волноводных трактах;
- Наличие драйверов с P1dB 22 dBm — позволяет строить многокаскадные усилительные трактаты и фидировать антенные решетки;
- Интегрированный on-chip power detector в E-band PA — упрощает мониторинг, защиту по мощности и автоматическую регулировку усиления;
- Размещение продуктов как в QFN (удобно для СМД-модулей), так и в bare die (для интеграции в антенны и сложные подложки).
Применения и архитектуры
Предложенные MMIC покрывают ключевые сценарии современной радиоэлектроники:
- Телеком-бэкхаул в E-band (71-86 ГГц) для сетей высокой емкости; PAs и LNAs обеспечивают требуемый запас по мощности и чувствительности;
- SATCOM-решения, где комбинируются низкий NF и высокая линейность;
- Радарные модули и датчики, требующие широкополосных драйверов и управляемых ступеней усиления;
- Тест-и-измерительное оборудование и калибровочные стенды, где важна повторяемость параметров и наличие встроенных датчиков мощности.
Практические замечания для разработчиков
При выборе компонентов Altum RF обращайте внимание на упаковку: QFN ускоряет интеграцию на плате, тогда как bare die целесообразен при интеграции в антенну или гибридный модуль с микроволновыми переходами. Для проектов с высокими требованиями по линейности и мощности предпочтительны GaN-решения; для максимально низкого NF — GaAs-LNA. Интегрированный детектор значительно упрощает реализацию систем с адаптивным усилением и защитой от перегрузок.
Вывод
Экспозиция Altum RF на IMS 2026 подчёркивает сдвиг рынка в сторону коммерческих mmWave-решений и роста спроса на готовые MMIC для E-band. Широкий частотный диапазон, сочетание упаковок и наличие специализированных функций (детектор на кристалле, ваттный Psat в E-band) делают портфель компании интересным выбором для инженеров, разрабатывающих современные телеком, спутниковые и радарные системы.
