На основе Шанхайского исследовательского института материалов была основана компания Wayon. Она предоставляет MOSFET-транзисторы, созданные с применением новаторской технологии WMOS™C2. Благодаря этому достигается отмеченное низкое сопротивление при проводимости (вплоть до 99 мОм) при минимальной мощности активации транзистора. Такой подход актуален в сферах, где приоритетом является эффективное потребление энергии устройством.
Клиентам доступны продукты в корпусах ТО220, ТО247, ТО251 и ТО262, которые адаптированы для прямого монтажа. Пиковое напряжение между стоком и истоком для данных деталей достигает 600 В (для затвора и истока — в пределах ±30 В). В то время как ток стока имеет диапазон от 5 А до 38 А, в зависимости от конкретной спецификации модели. Транзисторы от Wayon находят свое применение в устройствах питания, конвертерах, системах управления светодиодами и в ряде аналогичных областях.
WML04N60C2-CYG Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 3А; 20Вт; TO220F
WML26N60C2-CYG Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 20А; 34Вт; TO220F
WMP14N60C2-CYG Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 11А; 85Вт; TO251
