Ещё из раздела
- G4953S-GFS Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -5A; 1.6W; SOP8
- G60N04D52-GFS Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 40V; 60A; 65W; DFN5x6-8
- G800N06S2-GFS Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 3A; 1.7W; SOP8
- GT090N06D52-GFS Transistor: N-MOSFET x2; SGT; unipolar; 60V; 40A; 62W; DFN5x6-8
- BSS138DWK13-DIO-0 Транзистор: N-MOSFET x2; 50В; 310мА; 330мВт; SOT363
- EFC4626R-TR Транзистор: N-MOSFET x2; 24В; 5А; 1,4Вт
- EFC4627R-TR Транзистор: N-MOSFET x2; N; 12В; 6А; 1,4Вт; SMD4
- EFC6601R-TR Транзистор: N-MOSFET x2; N; 24В; 13А; 2Вт; WLCSP6; ESD
- HP8JB5TB1-ROH-0 40В; 7А; HSOP8; Канал: обогащенный
- HP8K22TB-ROH-0 Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD
- HP8K24TB-ROH-0 Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 27А; HSOP8; ESD
- HP8KB6TB1-ROH-0 Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 21Вт; HSOP8
- HP8KB7TB1-ROH-0 40В; HSOP8; Канал: обогащенный; 26Вт
- HP8KC6TB1-ROH-0 Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 21Вт; HSOP8
- HP8KC7TB1-ROH-0 60В; HSOP8; Канал: обогащенный; 26Вт
- HP8MB5TB1-ROH-0 Транзистор: N/P-MOSFET; 40В; 20Вт; HSOP8
- HP8ME5TB1-ROH-0 Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8
- HT8KC6TB1-ROH-0 60В; Канал: обогащенный; 14Вт
- QH8K51TR-ROH-0 100В; 2А; TSMT8; Канал: обогащенный
- QH8KA1TCR-ROH-0 Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 4,5А; 2,4Вт; TSMT8
- QH8KB5TCR-ROH-0 Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; TSMT8
- QH8KC6TCR-ROH-0 Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 5,5А; TSMT8
- QH8KE6TCR-ROH-0 Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8
- QS8M13TCR-ROH-0 Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8
Транзисторы многоканальные
1 670 позицийПо умолчанию
TAIWAN SEMICONDUCTOR
- 2496 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 461 ₽
- 10 шт. — 226 ₽
- 100 шт. — 203 ₽
- 500 шт. — 162 ₽
461 ₽
В корзину
Доступно 2 496 шт.