Транзистор — управляемый полупроводниковый ключ: малым сигналом на базе или затворе он включает или выключает значительно больший ток в цепи нагрузки. На этом строятся усилительные каскады, силовые ключи импульсных источников питания, драйверы двигателей и логические схемы. В разделе «ТМ Электроникс» собрано более 39 000 позиций — полевые МОП-транзисторы, биполярные транзисторы, IGBT-транзисторы и модули. Купить можно от одной штуки для ремонта, так и партией для производства.
Что входит в раздел
- Транзисторы униполярные (МОП, полевые) — самая крупная группа, силовые ключи и маломощные переключатели;
- Транзисторы биполярные — NPN и PNP, одиночные и комплементарные пары;
- Транзисторы и модули IGBT — силовые ключи для высоковольтных и высокотоковых применений.
Как выбрать транзистор
- Определите тип по задаче. Силовой ключ с минимальными потерями — МОП-транзистор, усилительный каскад или простая логика на малом токе — биполярный, высоковольтные и мощные силовые применения (сварка, приводы) — IGBT.
- Проверьте максимальное напряжение и ток с запасом. Берите номинал не менее чем на 20–30% выше максимального напряжения и тока в цепи, включая импульсные броски при коммутации индуктивной нагрузки.
- Для МОП-транзистора сопоставьте сопротивление открытого канала (Rds(on)). Чем оно ниже, тем меньше транзистор греется при том же токе — важно для силовых ключей с высокой частотой переключения.
- Для замены NPN на PNP (или наоборот) ищите комплементарную пару. Комплементарная пара — это два транзистора разной проводимости с максимально близкими параметрами, они используются в двухтактных усилительных и выходных каскадах.
- Для SMD-транзистора без читаемой полной маркировки — определяйте по короткому коду на корпусе. Производители наносят на миниатюрные корпуса (SOT23 и мельче) сокращённый 1–3-значный код, а не полный артикул — код нужно сверять по даташиту конкретного корпуса и серии.
Типы транзисторов и применение
| Тип | Особенность | Где применяется |
|---|---|---|
| МОП-транзисторы (MOSFET) | Управление напряжением на затворе, низкие потери на открытом канале | Импульсные источники питания, силовые ключи, драйверы двигателей |
| Биполярные транзисторы NPN/PNP | Управление током базы | Усилительные каскады, простые ключевые схемы, аналоговая электроника |
| Комплементарные пары транзисторов | Согласованные параметры разной проводимости | Двухтактные выходные каскады усилителей |
| IGBT-транзисторы и модули | Высокое напряжение и ток, свойства MOSFET и биполярного транзистора | Частотные преобразователи, сварочное оборудование, силовые приводы |
Производители
В разделе представлены транзисторы INFINEON TECHNOLOGIES, MICROCHIP TECHNOLOGY, DIODES INCORPORATED, ONSEMI, VISHAY, IXYS, ROHM SEMICONDUCTOR, NEXPERIA, STMicroelectronics, ON SEMICONDUCTOR, WAYON, ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR — от массовых SMD-транзисторов общего назначения до силовых MOSFET и IGBT. Поставки идут по официальным каналам, с заводской маркировкой и упаковкой (лента, катушка или трубка).
Вопросы и ответы
Что такое комплементарная пара транзисторов?
Это два транзистора — один NPN, другой PNP (или N-канальный и P-канальный МОП) — с максимально близкими электрическими параметрами (ток, напряжение, усиление), выпущенные специально как парный комплект. Их используют там, где схема должна одинаково хорошо обрабатывать оба полупериода сигнала, например в двухтактном выходном каскаде усилителя.
Как определить SMD-транзистор по короткой маркировке на корпусе?
На миниатюрных корпусах (SOT23, SOT323 и мельче) производитель наносит не полный артикул, а короткий код из 1–3 символов — он уникален в рамках серии и типа корпуса конкретного производителя. Такой код нужно сверять по таблице маркировок производителя или специализированному справочнику SMD-кодов — один и тот же код у разных производителей может обозначать разные транзисторы.
Почему MOSFET греется сильнее, чем указано в расчёте по Rds(on)?
Rds(on) в даташите обычно указан при полностью открытом затворе и комнатной температуре — на практике добавляются динамические потери при переключении (особенно на высокой частоте) и рост Rds(on) с нагревом кристалла. Если транзистор ощутимо греется, проверьте, достаточно ли напряжение на затворе для полного открытия канала, и не занижена ли частота или скорость переключения драйвера.
Когда вместо MOSFET лучше поставить IGBT?
IGBT выгоднее на высоких напряжениях (от нескольких сотен вольт) и токах в десятки-сотни ампер — он совмещает управление по затвору, как у MOSFET, с низким падением напряжения в открытом состоянии, как у биполярного транзистора. На низких напряжениях и высоких частотах переключения MOSFET обычно эффективнее за счёт меньших динамических потерь.
Не нашли нужный номинал или корпус в списке? Воспользуйтесь поиском по артикулу — каталог ищет и по полному обозначению, и по части номера. Если позиции нет в наличии, напишите менеджеру: подберём аналог по параметрам или привезём транзистор под заказ.
