Ещё из раздела
- AT45DB021E-SSHN-B IC: память FLASH; 2Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8; туба
- AT45DB021E-SSHN2BT IC: память FLASH; 2Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8
- AT45DB021E-SSHNHAT IC: память FLASH; 2Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8
- AT45DB021E-SSHNHCT IC: память FLASH; 2Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8
- AT45DB021E-SSHNT IC: память FLASH; 2Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8
- AT45DB041E-MHN-Y IC: память FLASH; 4Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; uDFN8; лоток
- AT45DB041E-MHN2BT IC: память FLASH; 4Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; uDFN8
- AT45DB041E-MHNT IC: память FLASH; 4Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; uDFN8
- AT45DB041E-SHN-B IC: память FLASH; 4Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8-W; туба
- AT45DB041E-SHN2BT IC: память FLASH; 4Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8-W
- AT45DB041E-SHNHAT IC: память FLASH; 4Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8-W
- AT45DB041E-SHNHCT IC: память FLASH; 4Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8-W
- AT45DB041E-SHNHTB IC: память FLASH; 4Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8-W; туба
- AT45DB041E-SHNHTT IC: память FLASH; 4Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8-W
- AT45DB041E-SHNT IC: память FLASH; 4Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8-W
- AT45DB041E-SSHN-B IC: память FLASH; 4Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8; туба
- AT45DB041E-SSHN2BT IC: память FLASH; 4Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8
- AT45DB041E-SSHNHAT IC: память FLASH; 4Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8
- AT45DB041E-SSHNHCT IC: память FLASH; 4Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8
- AT45DB041E-SSHNHTB IC: память FLASH; 4Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8; туба
- AT45DB041E-SSHNHTT IC: память FLASH; 4Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8
- AT45DB041E-SSHNT IC: память FLASH; 4Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8
- AT45DB081E-MHN-Y IC: память FLASH; 8Mб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; uDFN8; лоток
- AT45DB081E-MHN2BT IC: память FLASH; 8Мб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; uDFN8
Памяти FLASH - микросхемы
3 503 позицииПо умолчанию