Ещё из раздела
- AT45DB041E-SSHNT IC: память FLASH; 4Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8
- AT45DB081E-MHN-Y IC: память FLASH; 8Mб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; uDFN8; лоток
- AT45DB081E-MHN2BT IC: память FLASH; 8Мб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; uDFN8
- AT45DB081E-MHNT IC: память FLASH; 8Мб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; uDFN8
- AT45DB081E-SHN-B IC: память FLASH; 8Mб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; SO8-W; туба
- AT45DB081E-SHN2BT IC: память FLASH; 8Mб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; SO8-W
- AT45DB081E-SHNHAT IC: память FLASH; 8Mб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; SO8-W
- AT45DB081E-SHNHCT IC: память FLASH; 8Мб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; SO8-W
- AT45DB081E-SHNT IC: память FLASH; 8Мб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; SO8-W
- AT45DB081E-SSHN-B IC: память FLASH; 8Мб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; SO8; туба
- AT45DB081E-SSHN2BT IC: память FLASH; 8Мб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; SO8
- AT45DB081E-SSHNHAT IC: память FLASH; 8Mб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; SO8
- AT45DB081E-SSHNHCT Память FLASH; 8Мбит; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7?3,6В; SO8
- AT45DB081E-SSHNT IC: память FLASH; 8Mб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; SO8
- AT45DB161E-CCUDT Память FLASH; 16Мбит; SPI / RapidS; 85МГц; 2,5÷3,6/2,3÷3,6В
- AT45DB161E-CCUFT Память FLASH; 16Мбит; SPI / RapidS; 85МГц; 2,5÷3,6/2,3÷3,6В
- AT45DB161E-MHD-Y IC: память FLASH; 16Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 2,5÷3,6/2,3÷3,6В
- AT45DB161E-MHD2BT IC: память FLASH; 16Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 2,5÷3,6/2,3÷3,6В
- AT45DB161E-MHDT IC: память FLASH; 16Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 2,5÷3,6/2,3÷3,6В
- AT45DB161E-MHF-Y IC: память FLASH; 16Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 2,5÷3,6/2,3÷3,6В
- AT45DB161E-MHF2BT IC: память FLASH; 16Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 2,5÷3,6/2,3÷3,6В
- AT45DB161E-MHFT IC: память FLASH; 16Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 2,5÷3,6/2,3÷3,6В
- AT45DB161E-SHD-B IC: память FLASH; 16Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 2,5÷3,6/2,3÷3,6В
- AT45DB161E-SHDT IC: память FLASH; 16Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 2,5÷3,6/2,3÷3,6В
Памяти FLASH - микросхемы
3 503 позицииПо умолчанию