Ещё из раздела
- 4C16M16MD1-6BCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 166МГц; FBGA60; -30÷85°C; бобина
- 4C16M32MD1-5BCNTR IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -25÷85°C
- 4C16M32MD1-5BINTR IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -40÷85°C
- 4C1G8D3LA-10BCNTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C1G8D3LA-10BINTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78; -40÷95°C
- 4C256M16D3C-10BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C-10BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3C-12BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C-12BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3C-93BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 1066МГц; 13,09нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C10BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C10BINTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3C12BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C12BINTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3C93BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 1066МГц; 13,09нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC-10BAN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC-10BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC-10BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC-12BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC10BANT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3LC10BCNT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC10BINT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3LC12BAN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC12BANT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию
- 1649 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 3 716 ₽
- 10 шт. — 3 447 ₽
- 25 шт. — 3 339 ₽
- 50 шт. — 3 258 ₽
3 716 ₽
В корзину
Доступно 1 649 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 602 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 21 165 ₽
- 10 шт. — 19 517 ₽
- 25 шт. — 18 874 ₽
- 50 шт. — 18 397 ₽
21 165 ₽
В корзину
Доступно 602 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 587 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 5 428 ₽
- 10 шт. — 5 028 ₽
- 25 шт. — 4 868 ₽
- 50 шт. — 4 749 ₽
- 100 шт. — 4 630 ₽
5 428 ₽
В корзину
Доступно 587 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 575 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 4 781 ₽
- 10 шт. — 4 431 ₽
- 25 шт. — 4 292 ₽
- 50 шт. — 4 187 ₽
- 100 шт. — 4 083 ₽
4 781 ₽
В корзину
Доступно 575 шт.
- 543 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 707 ₽
- 10 шт. — 2 513 ₽
- 25 шт. — 2 435 ₽
- 50 шт. — 2 376 ₽
- 100 шт. — 2 318 ₽
2 707 ₽
В корзину
Доступно 543 шт.
MICRON TECHNOLOGY
- 525 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 9 274 ₽
- 5 шт. — 8 779 ₽
- 10 шт. — 8 119 ₽
- 25 шт. — 7 783 ₽
9 274 ₽
В корзину
Доступно 525 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 520 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 4 781 ₽
- 10 шт. — 4 431 ₽
- 25 шт. — 4 292 ₽
- 50 шт. — 4 187 ₽
- 100 шт. — 4 083 ₽
4 781 ₽
В корзину
Доступно 520 шт.
- 476 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 656 ₽
- 10 шт. — 2 466 ₽
- 25 шт. — 2 390 ₽
- 50 шт. — 2 332 ₽
- 100 шт. — 2 275 ₽
2 656 ₽
В корзину
Доступно 476 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 371 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 304 ₽
- 10 шт. — 2 140 ₽
- 25 шт. — 2 074 ₽
- 50 шт. — 2 024 ₽
- 100 шт. — 1 975 ₽
2 304 ₽
В корзину
Доступно 371 шт.
- 348 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 811 ₽
- 10 шт. — 738 ₽
- 25 шт. — 718 ₽
- 50 шт. — 688 ₽
- 100 шт. — 644 ₽
811 ₽
В корзину
Доступно 348 шт.
- 348 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 960 ₽
- 10 шт. — 875 ₽
- 25 шт. — 851 ₽
- 50 шт. — 815 ₽
- 100 шт. — 764 ₽
960 ₽
В корзину
Доступно 348 шт.