Ещё из раздела
- AS4C64M16D1-6TCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; 18нс; TSOP66; 0÷70°C
- AS4C64M16D1-6TINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; 18нс; TSOP66; -40÷85°C
- AS4C64M16D2A-25BAN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷105°C
- AS4C64M16D3B-12BAN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- AS4C64M32MD1A-5BIN IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; FBGA90; -40÷85°C; лоток
- AS4C64M4SA-6TINTR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C64M4SA-7TCNTR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C64M8D1-5BCNTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; 0÷70°C; бобина
- AS4C64M8D1-5BINTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; -40÷95°C; бобина
- AS4C64M8D1-5TCNTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; бобина
- AS4C64M8D1-5TINTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- AS4C64M8D2-25BAN IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; -40÷105°C
- AS4C64M8D2-25BANTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; -40÷105°C
- AS4C64M8D2-25BCNTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; 0÷85°C
- AS4C64M8D2-25BINTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; -40÷95°C
- AS4C64M8D3-12BCN IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C64M8D3-12BCNTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C64M8D3-12BIN IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C64M8D3-12BINTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C64M8D3L-12BCN IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C64M8D3L-12BIN IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C64M8SC-7TINTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C8M16D1-5BCNTR IC: память DRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; 0÷70°C; бобина
- AS4C8M16D1-5BINTR IC: память DRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; -40÷85°C; бобина
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию
MICRON TECHNOLOGY
- 1039 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 34 035 ₽
- 10 шт. — 31 349 ₽
- 25 шт. — 30 310 ₽
- 50 шт. — 29 539 ₽
34 035 ₽
В корзину
Доступно 1 039 шт.
MICRON TECHNOLOGY
- 333 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 31 837 ₽
- 10 шт. — 29 328 ₽
- 25 шт. — 28 356 ₽
- 50 шт. — 27 635 ₽
31 837 ₽
В корзину
Доступно 333 шт.