Ещё из раздела
- AS4C2M32D1A-5BIN IC: память DRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; -40÷85°C; лоток
- AS4C2M32SA-6TCN IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86; 0÷70°C
- AS4C2M32SA-6TCNTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86; 0÷70°C
- AS4C2M32SA-6TIN IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86; -40÷85°C
- AS4C2M32SA-6TINTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86; -40÷85°C
- AS4C2M32SA-7TCN IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 143МГц; 5,5нс; TSOP86; 0÷70°C
- AS4C2M32SA-7TCNTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 143МГц; 5,5нс; TSOP86; 0÷70°C
- AS4C32M16D1-5BCN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; 0÷70°C; параллельный
- AS4C32M16D1-5BIN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; -40÷95°C; параллельный
- AS4C32M16D1A-5TCN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; лоток
- AS4C32M16D1A-5TIN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- AS4C32M16D2A-25BCN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- AS4C32M16D2A-25BIN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C
- AS4C32M16SA-7TCN Память DRAM; SDRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54; 0?70°C
- AS4C32M16SA-7TCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54; 0÷70°C
- AS4C32M16SA-7TIN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54; -40÷85°C
- AS4C32M16SA-7TINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54; -40÷85°C
- AS4C32M16SB-6TIN IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C32M16SB-6TINTR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C32M16SB-7TCN IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C32M16SB-7TCNTR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C32M16SB-7TIN IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
- AS4C32M16SB-7TINTR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
- AS4C32M8D1-5TCN IC: память DRAM; 32Mx8бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; TSOP66 II; 0÷70°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию
MICRON TECHNOLOGY
- 1988 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 18 635 ₽
- 10 шт. — 16 143 ₽
- 25 шт. — 15 541 ₽
- 50 шт. — 15 125 ₽
- 1988 шт. — 14 716 ₽
18 635 ₽
В корзину
Доступно 1 988 шт.
MICRON TECHNOLOGY
- 449 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 12 531 ₽
- 10 шт. — 11 572 ₽
- 25 шт. — 11 195 ₽
- 50 шт. — 10 914 ₽
- 100 шт. — 10 638 ₽
12 531 ₽
В корзину
Доступно 449 шт.