Ещё из раздела
- AS4C32M16SA-7TINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54; -40÷85°C
- AS4C32M16SB-6TIN IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C32M16SB-6TINTR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C32M16SB-7TCN IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C32M16SB-7TCNTR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C32M16SB-7TIN IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
- AS4C32M16SB-7TINTR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
- AS4C32M8D1-5TCN IC: память DRAM; 32Mx8бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; TSOP66 II; 0÷70°C
- AS4C32M8D1-5TIN IC: память DRAM; 32Mx8бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- AS4C4M16D1A-5TCN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; лоток
- AS4C4M16D1A-5TIN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷85°C; лоток
- AS4C4M16SA-5TCN Память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 200МГц; TSOP54; 0÷70°C; параллельный
- AS4C4M16SA-5TCNTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 200МГц; 4,5нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C4M16SA-6TCN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C4M16SA-6TCNTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C4M16SA-6TIN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4с; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C4M16SA-6TINTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C4M16SA-7TCN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4с; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C4M16SA-7TCNTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C4M32D1A-5BCN IC: память DRAM; 4Mx32бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; BGA144; 0÷70°C; лоток
- AS4C4M32D1A-5BIN IC: память DRAM; 4Mx32бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; BGA144; -40÷85°C
- AS4C4M32SA-6TCN IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP86; 0÷70°C
- AS4C4M32SA-6TCNTR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP86; 0÷70°C
- AS4C4M32SA-6TIN IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP86; -40÷85°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию
ALLIANCE MEMORY
- 23 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 4 504 ₽
- 10 шт. — 4 172 ₽
4 504 ₽
В корзину
Доступно 23 шт.
MICRON TECHNOLOGY
- 26664 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 17 387 ₽
- 10 шт. — 16 040 ₽
- 25 шт. — 15 514 ₽
- 50 шт. — 15 123 ₽
- 100 шт. — 14 739 ₽
17 387 ₽
В корзину
Доступно 26 664 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 12459 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 3 281 ₽
- 10 шт. — 1 989 ₽
- 25 шт. — 1 855 ₽
- 50 шт. — 1 787 ₽
- 100 шт. — 1 731 ₽
3 281 ₽
В корзину
Доступно 12 459 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 9348 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 6 023 ₽
- 10 шт. — 5 575 ₽
- 25 шт. — 5 398 ₽
- 50 шт. — 5 265 ₽
- 100 шт. — 5 133 ₽
6 023 ₽
В корзину
Доступно 9 348 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 8388 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 3 711 ₽
- 10 шт. — 3 441 ₽
- 25 шт. — 3 333 ₽
- 50 шт. — 3 251 ₽
- 209 шт. — 3 087 ₽
3 711 ₽
В корзину
Доступно 8 388 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 8385 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 492 ₽
- 10 шт. — 2 315 ₽
- 25 шт. — 2 243 ₽
- 50 шт. — 2 189 ₽
- 100 шт. — 2 136 ₽
2 492 ₽
В корзину
Доступно 8 385 шт.
MICRON TECHNOLOGY
- 8098 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 13 765 ₽
- 10 шт. — 12 707 ₽
- 25 шт. — 12 293 ₽
- 50 шт. — 11 984 ₽
- 100 шт. — 11 680 ₽
13 765 ₽
В корзину
Доступно 8 098 шт.
MICRON TECHNOLOGY
- 7399 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 8 195 ₽
- 10 шт. — 7 578 ₽
- 25 шт. — 7 334 ₽
- 50 шт. — 7 152 ₽
- 100 шт. — 6 972 ₽
8 195 ₽
В корзину
Доступно 7 399 шт.
- 7218 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 893 ₽
- 10 шт. — 832 ₽
- 25 шт. — 807 ₽
- 50 шт. — 789 ₽
- 100 шт. — 770 ₽
893 ₽
В корзину
Доступно 7 218 шт.