Ещё из раздела
- 43TR16640CL125JBLI IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1066МГц; 12,5нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 42S32160F-7TLI IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP86 II; -40÷85°C
- 42S86400F-7TL IC: память DRAM; 16Mx8битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- 42S32800J-6TL-TR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TSOP86 II; 0÷70°C
- 43TR16512BL-125KBL IC: память DRAM; 512Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; 0÷95°C
- 43R16320F-6TLI IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- 42S86400F-6TLI-TR IC: память DRAM; 16Mx8битx4; 167МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- 42VM32160E-75BLITR IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C
- 45S16320F-6BLA1 IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 167МГц; 6нс; TWBGA54; -40÷85°C
- 42S32160F-75ETLI IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TSOP86 II; -40÷85°C
- 43DR82560C-3DBL IC: DRAM memory; 32Mx8bitx8; 333MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷85°C; parallel
- 43DR16160B-3DBL IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 333МГц; 15нс; TWBGA84; 0÷85°C
- 42VM32160E-6BLI-TR IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C
- 43LR16320C-6BLI IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60; -40÷85°C
- 42S16160J-7TL-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- 43DR16160B-3DBLITR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 333МГц; 15нс; TWBGA84; -40÷85°C
- 43R16320F-5TLI-TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- 43TR16128C-125KBL IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; 0÷95°C
- 43R16320F-6TLI-TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- 42VM16400M-75BLI IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 45S16160J-7TLA2-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷105°C
- 45S16400J-6TLA1 IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- 43TR16K01S2AL125K IC: память DRAM; 1Гx16бит; 800МГц; 13,75нс; LWBGA96; -40÷95°C
- 43LR16400C-6BLI IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60; -40÷85°C