Ещё из раздела
- 42S32800J-6BLI IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 43R83200F-5TL IC: память DRAM; 8Mx8битx4; 200МГц; 5нс; TSOP66 II; 0÷70°C; 2,5ВDC
- 43LR16200D-6BLI IC: память DRAM; 1Mx16битx2; 166МГц; 6нс; TFBGA60; -40÷85°C
- 43DR86400E-3DBLITR IC: память DRAM; 16Mx8битx4; 333МГц; 15нс; TWBGA60; -40÷85°C
- 43DR16128C25DBLITR IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷85°C
- 42SM16320E-6BLI IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 43DR82560C-25DBL IC: DRAM memory; 32Mx8bitx8; 400MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷85°C; parallel
- 43LR32640A-6BL IC: DRAM memory; 16Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; WBGA90; 0÷70°C; parallel
- 43DR16160B-25DBLTR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; 0÷85°C
- 42S32800J-7BLI IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 46DR16320E25DBLA1T IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷85°C
- 42S32200L-7TLI-TR IC: память DRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II; -40÷85°C
- 42S32400F-6BL-TR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- 42S32800J-75ETL IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 133МГц; 7,5нс; TSOP86 II; 0÷70°C
- 45S16320F-7CTLA2TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷105°C
- 45S16800F-6TLA1-TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- 42S16160J-6BLI-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 42S32400F-6TLI-TR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TSOP86 II; -40÷85°C
- 45S16800F-6BLA1 IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 42S16800F-7BLI-TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 43TR81024BL125KBLI IC: память DRAM; 1Гx8бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA78; -40÷95°C
- 42S32160F-75ETLITR IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TSOP86 II; -40÷85°C
- 43DR16640C25DBLITR IC: память DRAM; 8Mx16битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷85°C
- 42S32400F-7BLI-TR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA90; -40÷85°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию