Ещё из раздела
- AS4C128M8D1-6TINTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- AS4C128M8D3B-12BAN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- AS4C16M16D1-5BCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; 0÷70°C; бобина
- AS4C16M16D1-5BINTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40÷85°C; бобина
- AS4C16M16SA-6BAN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷105°C
- AS4C16M16SA-6BANTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷105°C
- AS4C16M16SA-6BINTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C16M16SA-6TAN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
- AS4C16M16SA-6TANTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
- AS4C16M16SA-7BCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54; 0÷70°C
- AS4C16M16SB-6TIN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C16M16SB-6TINTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C16M16SB-7TCN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C16M16SB-7TCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C16M32MD1-5BIN IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C1G8D3LA-10BCN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C1G8D3LA-10BIN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C1G8D4-75BCN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C1G8D4-75BCNTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C1G8D4-75BIN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C1G8D4-75BINTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C1M16S-6TCNTR IC: память DRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP50 II; 0÷70°C
- AS4C2M32D1A-5BCNTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; 0÷70°C; бобина
- AS4C2M32D1A-5BINTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; -40÷85°C; бобина
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию
- 313 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 049 ₽
- 10 шт. — 1 905 ₽
- 25 шт. — 1 846 ₽
- 50 шт. — 1 803 ₽
- 108 шт. — 1 717 ₽
2 049 ₽
В корзину
Доступно 313 шт.
- 257 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 755 ₽
- 10 шт. — 704 ₽
- 25 шт. — 682 ₽
- 50 шт. — 667 ₽
755 ₽
В корзину
Доступно 257 шт.
- 154 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 41 915 ₽
- 10 шт. — 38 588 ₽
- 25 шт. — 37 303 ₽
- 50 шт. — 36 353 ₽
41 915 ₽
В корзину
Доступно 154 шт.
- 39 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 869 ₽
- 10 шт. — 2 663 ₽
- 25 шт. — 2 581 ₽
2 869 ₽
В корзину
Доступно 39 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 37 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 707 ₽
- 10 шт. — 2 513 ₽
- 25 шт. — 2 435 ₽
2 707 ₽
В корзину
Доступно 37 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 33 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 23 380 ₽
- 10 шт. — 21 553 ₽
- 25 шт. — 20 843 ₽
23 380 ₽
В корзину
Доступно 33 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 26 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 11 627 ₽
- 10 шт. — 10 739 ₽
- 25 шт. — 10 390 ₽
11 627 ₽
В корзину
Доступно 26 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 26 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 16 517 ₽
- 10 шт. — 15 244 ₽
- 25 шт. — 14 746 ₽
16 517 ₽
В корзину
Доступно 26 шт.