Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

О разделе «Памяти DRAM - микросхемы»

Память с динамическим доступом (DRAM) является основным типом памяти, используемым в компьютерах, серверах и других вычислительных устройствах. Эти микросхемы памяти обеспечивают высокую скорость передачи данных и большой объем хранения информации по сравнению с их стоимостью.

Основные характеристики DRAM

Микросхемы DRAM предлагают множество функциональных преимуществ:

  • Высокая плотность данных: позволяет хранить большое количество информации на сравнительно малой площади кристалла.
  • Быстрая скорость чтения/записи: обеспечивает эффективное выполнение программ и обработку данных.
  • Волатильность: требует постоянного обновления данных, поскольку информация теряется при отключении питания.

Типы и классификация DRAM

Памяти DRAM могут быть классифицированы по разным критериям, включая тип доступа и скорость работы. Однако основное разделение происходит по стандартам, которые определяют характеристики памяти, такие как временные параметры, скорость и интерфейс. Некоторые из стандартных типов включают SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, и DDR4, с каждым последующим поколением, предлагающим улучшения в скорости и эффективности.

Применение DRAM

Микросхемы DRAM находят применение во многих областях:

  • Персональные компьютеры и ноутбуки: в качестве основной оперативной памяти.
  • Серверы: для обработки больших объемов данных в корпоративных и облачных вычислениях.
  • Игровые консоли: для обеспечения высокой пропускной способности и быстрого доступа к данным.
  • Мобильные устройства: DRAM используется в смартфонах и планшетах для мультимедийных приложений и игр.

Выбор микросхемы DRAM

При выборе микросхемы DRAM важно учитывать следующие параметры: размер памяти, скорость данных, латентность и напряжение питания. Размер памяти определяет, сколько информации может быть сохранено в памяти. Высокая скорость данных позволяет лучше справляться с требованиями современных приложений. Латентность представляет собой задержку между запросом к памяти и выполнением операции. Напряжение питания влияет на энергопотребление и тепловыделение.

Технические инновации и будущее DRAM

Развитие технологии DRAM не стоит на месте. С увеличением объема данных и требований к скорости обработки, производители памяти стремятся к разработке новых стандартов, таких как DDR5 и GDDR6, которые предлагают еще большую пропускную способность и эффективность энергопотребления.

Исследования также направлены на уменьшение эффекта "memory wall", когда рост производительности процессоров опережает скорость доступа к памяти. Решениями этой проблемы могут стать интеграция памяти с логическими схемами и использование трехмерных структур для увеличения плотности и скорости.

Микросхемы DRAM продолжают быть неотъемлемой частью современных электронных устройств, предоставляя необходимую скорость и объем для выполнения вычислительных задач. Они олицетворяют собой баланс между стоимостью, производительностью и вместимостью, делая их идеальным выбором для широкого спектра приложений.

Памяти DRAM - микросхемы

1 301 позиция
Производитель 6
Рабочая температура 10
Корпус 39
Рабочее напряжение 14
Вид упаковки 4
Тип микросхемы 3
Вид памяти 13
Тактовая частота 19
Емкость памяти 23
Ещё фильтрыСкрыть фильтров
Очистить
Пересчитываю фильтры
Фильтры Скрыть фильтры
Свернуть
По умолчанию
IS43TR16512B-125KBLI, IC: память DRAM; 512Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
  • 1 шт. — в наличии
  • 1 шт. — 4 531 ₽
4 531 ₽
В корзину
Доступно 1 шт.
IS42S16160G-7TLI, IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷85°C; туба
  • 10492 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 719 ₽
  • 10 шт. — 1 600 ₽
  • 25 шт. — 1 550 ₽
  • 50 шт. — 1 513 ₽
  • 108 шт. — 1 478 ₽
1 719 ₽
В корзину
Доступно 10 492 шт.
AS4C64M16D2A-25BIN, IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C
  • 7634 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 7 047 ₽
  • 10 шт. — 6 520 ₽
  • 25 шт. — 6 312 ₽
  • 50 шт. — 6 155 ₽
  • 209 шт. — 5 840 ₽
7 047 ₽
В корзину
Доступно 7 634 шт.
AS4C128M16D3LC-12BIN, IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток AS4C128M16D3LC-12BIN, IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
  • 7049 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 8 241 ₽
  • 10 шт. — 7 621 ₽
  • 25 шт. — 7 376 ₽
  • 50 шт. — 7 193 ₽
  • 198 шт. — 6 837 ₽
8 241 ₽
В корзину
Доступно 7 049 шт.
AS4C4M32SA-7TCN, IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP86; 0÷70°C
  • 4828 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 165 ₽
  • 10 шт. — 2 012 ₽
  • 25 шт. — 1 950 ₽
  • 50 шт. — 1 903 ₽
  • 108 шт. — 1 852 ₽
2 165 ₽
В корзину
Доступно 4 828 шт.
AS4C2M32SA-6TCN, IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86; 0÷70°C
  • 4566 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 208 ₽
  • 10 шт. — 2 051 ₽
  • 25 шт. — 1 988 ₽
  • 50 шт. — 1 941 ₽
  • 108 шт. — 1 888 ₽
2 208 ₽
В корзину
Доступно 4 566 шт.
AS4C4M16SA-6TINTR, IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
  • 4263 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 924 ₽
  • 10 шт. — 1 790 ₽
  • 25 шт. — 1 735 ₽
  • 50 шт. — 1 692 ₽
  • 100 шт. — 1 614 ₽
1 924 ₽
В корзину
Доступно 4 263 шт.
AS4C4M32SA-6TIN, IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP86; -40÷85°C
  • 4051 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 475 ₽
  • 10 шт. — 2 298 ₽
  • 25 шт. — 2 227 ₽
  • 50 шт. — 2 173 ₽
  • 108 шт. — 2 114 ₽
2 475 ₽
В корзину
Доступно 4 051 шт.
AS4C8M16SA-7TCN, IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
  • 3384 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 845 ₽
  • 10 шт. — 1 715 ₽
  • 25 шт. — 1 663 ₽
  • 50 шт. — 1 623 ₽
  • 108 шт. — 1 579 ₽
1 845 ₽
В корзину
Доступно 3 384 шт.
AS4C32M16SB-7TINTR, IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
  • 2952 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 7 304 ₽
  • 10 шт. — 5 736 ₽
  • 25 шт. — 5 482 ₽
  • 50 шт. — 5 323 ₽
  • 100 шт. — 5 178 ₽
7 304 ₽
В корзину
Доступно 2 952 шт.
AS4C16M16SB-6TIN, IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
  • 2861 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 4 226 ₽
  • 10 шт. — 3 917 ₽
  • 25 шт. — 3 794 ₽
  • 50 шт. — 3 701 ₽
  • 108 шт. — 3 599 ₽
4 226 ₽
В корзину
Доступно 2 861 шт.
AS4C8M16SA-6TINTR, IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
  • 2772 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 169 ₽
  • 10 шт. — 2 015 ₽
  • 25 шт. — 1 953 ₽
  • 50 шт. — 1 907 ₽
  • 100 шт. — 1 821 ₽
2 169 ₽
В корзину
Доступно 2 772 шт.
AS4C2M32SA-6TINTR, IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86; -40÷85°C
  • 2765 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 169 ₽
  • 10 шт. — 2 015 ₽
  • 25 шт. — 1 953 ₽
  • 50 шт. — 1 907 ₽
  • 100 шт. — 1 821 ₽
2 169 ₽
В корзину
Доступно 2 765 шт.
AS4C16M16SA-6TINTR, IC: память DRAM; 16Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54; -40÷85°C
  • 2424 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 628 ₽
  • 10 шт. — 2 436 ₽
  • 25 шт. — 2 360 ₽
  • 50 шт. — 2 249 ₽
  • 100 шт. — 2 194 ₽
2 628 ₽
В корзину
Доступно 2 424 шт.
AS4C16M16SA-6TCN, IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
  • 2303 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 996 ₽
  • 10 шт. — 2 780 ₽
  • 25 шт. — 2 694 ₽
  • 50 шт. — 2 629 ₽
  • 108 шт. — 2 557 ₽
2 996 ₽
В корзину
Доступно 2 303 шт.
AS4C4M16SA-7TCN, IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4с; TSOP54 II; 0÷70°C
  • 2191 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 646 ₽
  • 10 шт. — 1 531 ₽
  • 25 шт. — 1 485 ₽
  • 50 шт. — 1 449 ₽
  • 108 шт. — 1 410 ₽
1 646 ₽
В корзину
Доступно 2 191 шт.
AS4C4M32SA-6TINTR, IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP86; -40÷85°C
  • 2000 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 628 ₽
  • 10 шт. — 2 436 ₽
  • 25 шт. — 2 360 ₽
  • 50 шт. — 2 249 ₽
  • 100 шт. — 2 194 ₽
2 628 ₽
В корзину
Доступно 2 000 шт.
AS4C64M16MD2A-25BINTR, IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
  • 1950 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 4 545 ₽
  • 10 шт. — 4 212 ₽
  • 25 шт. — 4 081 ₽
  • 50 шт. — 3 980 ₽
  • 100 шт. — 3 831 ₽
4 545 ₽
В корзину
Доступно 1 950 шт.
AS4C8M16SA-6TIN, IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
  • 1801 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 795 ₽
  • 10 шт. — 1 667 ₽
  • 25 шт. — 1 618 ₽
  • 50 шт. — 1 579 ₽
  • 108 шт. — 1 504 ₽
1 795 ₽
В корзину
Доступно 1 801 шт.
AS4C8M16SA-7TCNTR, IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
  • 1505 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 924 ₽
  • 10 шт. — 1 790 ₽
  • 25 шт. — 1 735 ₽
  • 50 шт. — 1 692 ₽
  • 100 шт. — 1 614 ₽
1 924 ₽
В корзину
Доступно 1 505 шт.
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти