Ещё из раздела
- MAX528CPP+ IC: ЦАП; 8бит; Ch: 8; 5В; DIP20
- MAX5307EUE+ IC: ЦАП; 12бит; Ch: 8; 2,7÷5,5В; TSSOP16
- MAX531ACPD+ IC: ЦАП; 12бит; Ch: 1; 5В; DIP14
- MAX531ACSD+ IC: ЦАП; 12бит; Ch: 1; 5В; SO14
- MAX531AESD+ IC: ЦАП; 12бит; Ch: 1; 5В; SO14
- MAX531BCPD+ ЦАП; 12бит; Каналы: 1; 5В; DIP14
- AS4C32M16SB-7TCN IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C32M16SB-7TCNTR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C32M16SB-7TIN IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
- AS4C32M16SB-7TINTR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
- AS4C32M8D1-5TCN IC: память DRAM; 32Mx8бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; TSOP66 II; 0÷70°C
- AS4C32M8D1-5TIN IC: память DRAM; 32Mx8бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- AS4C4M16D1A-5TCN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; лоток
- AS4C4M16D1A-5TIN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷85°C; лоток
- AS4C4M16SA-5TCN Память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 200МГц; TSOP54; 0÷70°C; параллельный
- AS4C4M16SA-5TCNTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 200МГц; 4,5нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C4M16SA-6TCN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C4M16SA-6TCNTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C4M16SA-6TIN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4с; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C4M16SA-6TINTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C4M16SA-7TCN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4с; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C4M16SA-7TCNTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C4M32D1A-5BCN IC: память DRAM; 4Mx32бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; BGA144; 0÷70°C; лоток
- AS4C4M32D1A-5BIN IC: память DRAM; 4Mx32бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; BGA144; -40÷85°C
Микросхемы
121 046 позицийПо умолчанию