DMN63D8LDW-13

всего в наличии 8062 шт
Количество Цена ₽/шт
1 80
100 27
1000 15.6
5000 12.6
30000 10.2
Бесплатная доставка
и получите
+1 балл
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    DMN63D8LDW-13
  • Производитель
    DIODES INCORPORATED
Купить DMN63D8LDW-13 от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

DMN63D8LDW-13 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,17А; Idm: 0,8А; 0,4Вт

  • Производитель
    DIODES INCORPORATED
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT363
  • Рассеиваемая мощность
    0,4Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Ток стока
    0,17А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    4,5Ом
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    0,8А
  • Вес
    0.006g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация